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用于晶圆级封装的共晶键合方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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用于晶圆级封装的共晶键合方法.pdf

    本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括步骤：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一叠层，所述第一叠层包括含有第一金属的层和含有第二金属的层，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二叠层，所述第二叠层包括设置于其表层的含有所述第一金属的层；以及使所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层，其中所述第一金属与所述第二金属的质量分数之比为两者在共晶点处的质量比。本发明可减轻共

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116072522 A (43)申请公布日 2023.05.05 (21)申请号 202111283841.4 (22)申请日 2021.11.01 (71)申请人 上海新微技术研发中心有限公司 地址

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