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用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片.pdf

    在一个实施方式中，方法用于制造光电子半导体芯片(1)并且包括：A)在生长衬底(2)上沿着生长方向(G)生长AlInGaAsP半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)包括用于产生辐射的有源区(33)，并且有源区(33)由多个、彼此交替的量子阱层(61)和势垒层(62)组成；B)产生结构化的掩模层(5、34)；C)在至少一个混匀区域(51)中借助于将混匀辅助材料(55)穿过掩模层(5、34)的开口(50)施加到有源区(33)中来局部地混匀量子阱层(61)和势垒层(62)；并且D)将半导体层序列(3

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114521295 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202080069301.3 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限

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