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- 2023-05-10 发布于四川
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本申请涉及通过注入减小导电特征之间的间隔。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成第一电介质层，以及在源极/漏极区域之上形成源极/漏极接触插塞并将该源极/漏极接触插塞电连接至源极/漏极区域。源极/漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸。执行注入工艺以将掺杂剂注入到第一电介质层中。该注入工艺使得源极/漏极接触插塞具有小于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还包括在蚀刻停止层之上形成第二电介质层，以及形成与源极/漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520188 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202110304424.7
(22)申请日 2021.03.22
(30)优先权数据
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