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量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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量子点发光二极管及其制备方法.pdf

    本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：量子点层和形成于所述量子点层上的电子传输层，所述量子点层的靠近所述电子传输层所在侧的表面结合有酯物质。本发明将量子点层的位于电子传输层所在侧的表面替换为酯物质，由于酯物质具有良好的亲水性，其极性与电子传输层的极性相同，这样有效改善量子点层与电子传输层之间的相容性，减小量子点层与电子传输层间的表面接触角，填补膜层间的空隙和缺陷，有效避免非辐射复合的发生，减少漏电流产生，进而显著提升器件的发光性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520291 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011294195.7 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司 地址

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