原创力文档- 17
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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明公开一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构，属于雪崩光电二极管领域。在P‑雪崩区、N+有源区的两侧引入Trench隔离结构，并在Trench隔离结构边缘的Si内进行抗辐照加固注入。Trench隔离结构可阻断辐照引起的漏电通道，提高了硅基APD器件抗辐照能力；另一方面，Trench隔离结构可隔离掉常见APD器件中N保护环与P外围环结构，使得器件结构更简单、尺寸更小，一片晶圆上可得到更多器件，且不需要N保护环与P外围环等相应掩模版及光刻过程，简化了制备工艺，降低了生产成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520277 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202210147022.5 H01L 31/107 (2006.01)
(22)申请日 2022.02
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