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本发明公开了一种硅柱晶圆光刻方法，通通过将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行旋转曝光，将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行旋转曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为‑5μrad～5μrad；通过对曝光视场值、每个区域曝光时移动距离进行调整，然后采用旋转曝光，确保各区曝光过程中部分区重叠，从而减轻了硅柱产品光刻场效应，通过该方法可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111273517 A
(43)申请公布日
2020.06.12
(21)申请号 20201
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