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- 2023-05-10 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括：衬底，衬底上形成有暴露于衬底表面的连接焊盘；位于连接焊盘上方的电容器下电极层，电容器下电极层的底面与连接焊盘接触；位于电容器下电极层的两侧侧壁外围的刻蚀停止层、第一模层以及从下至上间隔设置的多个支撑层，其中最下方的第一支撑层完整地支撑于相邻两个电容器下电极层的相对两个侧壁之间，第一模层位于第一支撑层下方，刻蚀停止层位于第一模层下方，电容器下电极层位于第一模层所在高度处的孔径大于其他部分。本发明能够不增加电容器高度的情况下提高电容器容量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114520193 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202011297686.7
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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