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本发明提供了一种SiC晶片高低频复合振动加热剥离装置及SiC晶片制备方法，属于晶片加工的技术领域，包括基座、加热板、升降机构以及安装在基座上的低频振动台、电磁感应线圈和超声振动杆；低频振动台用于提供1KHZ‑10KHZ的低频振动；电磁感应线圈位于低频振动台的上方；超声振动杆位于低频振动台的上方，用于提供20KHZ及以上的高频振动，由升降机构驱动上下移动；低频振动台、电磁感应线圈和超声振动杆的中心线共线；加热板安装在超声振动杆的底端，由电磁感应线圈加热。本发明可以降低SiC晶片的剥离力，获得更高的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116093006 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310201055.8
(22)申请日 2023.03.06
(71)申请人 西北电子装备技术
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