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纳米压印技术(Nanoimprint Lithography) 微纳加工技术及微纳器件 段智勇 * 主要内容 为什么要研究纳米压印技术. 纳米压印技术实现的方式. 纳米压印技术亟待解决的问题. 课题组研究工作及进展. 一.为什么研究纳米压印技术 图形转移目前都采用光学方法实现,即传统的光刻. 瑞利公式的限制. 光学光刻的发展: 移相掩模; 光学临近效应校正; 浸润式光学镜头; 已经可以实现14nm节点图形转移. 一.为什么研究纳米压印技术 光学光刻走向没落,提出下一代图形转移技术(NGL): 电子束直写; X射线曝光; 极深紫外光源曝光; 纳米压印技术; ML2; EUV IMM. 2013版国际半导体蓝图 自2003年开始直到2015年,奇数年出版的国际半导体蓝图都将纳米压印技术作为半导体加工所需图形转移技术的备选之一. /Links/2013ITRS/Home2013.htm 一.为什么研究纳米压印技术 1995 年周郁 提出一种新技术：纳米压印 (nanoimprint lithography) 。 周郁-美籍华人,1978年中科大本科毕业赴美,现普林斯顿大学终身教授, 美国工程院院士, IEEE Fellow. 纳米压印是一种全新的纳米图形复制方法。其特点是： 超高分辩率; 高产量; 高保真度; 低成本。 一.为什么研究纳米压印技术 高分辩率 没有光学曝光中的衍射现象和电子束曝光中的散射现象。 高产量 可以象光学曝光那样并行处理，同时制作成百上千个器件。 低成本 不象光学曝光机那样需要复杂的光学系统或象电子束曝光机那样需要复杂的电磁聚焦系统。 高保真度 几乎无差别的将掩模板上的图形转移到wafer上. 纳米压印可望成为一种工业化生产技术，从根本上解决各种纳米器件生产。 一.为什么研究纳米压印技术 应用领域： 半导体加工 作量子磁碟 DNA 电泳芯片 GaAs 光检测器 波导起偏器 硅场效应管 二.纳米压印技术实现方式 纳米压印工艺由于材料、目标图形和产品用途的不同而不同，但其基本原理和工作程序是相同的。 最基本的程序包含两个主要步骤: 图形复制(imprint ) 图形转移(pattern transfer) 在一块基片(通常是硅片) 上“涂”( spin :旋覆) 上一层聚合物(如PMMA ，聚甲基丙烯酸甲脂)。 已刻有目标纳米图形的硬“印章”(如二氧化硅“图章”) 在一定的温度(必须高于聚合物“软化”温度(glass - transition temperature) ，和压力下去“压印”(imprint ) PMMA 涂层。 实现图形的复制。 “复制”是纳米压印的最本质的步骤。 二.纳米压印技术实现方式 二.纳米压印技术实现方式 压印深度小于聚合物涂层的厚度，确保印章不与衬底材料接触，保护印章面不受损伤。 脱模： 将“印章”从压印的聚合物中释放。 把聚合物图案转移到衬底材料或其它材料上。 可以直接利用聚合物作为刻蚀掩模进行硅刻蚀。 在压有图形的PMMA 上蒸发上一层金属膜，经过一种叫溶脱(lift - off ) 的工艺，去除未压印区的聚合物及其上附着的金属，只留下附着在基底上的金属，从而在基底上形成相应的金属纳米图形。 二.纳米压印技术实现方式 二.纳米压印技术实现方式 热压印技术 最先提出的压印方式； 使用石英玻璃板作为印章的基底材料； 印章(quartz template) 与聚合物层( transfer layer) 只是相互接触，压入填充； 掩模板间隙被充满，冷却后分离。图形以聚合物层构成； 进行后续工艺。 二.纳米压印技术实现方式 热压印技术 一般采用有机玻璃（PMMA）做转移介质； 需要加热设备； 需要经过冷却，工艺过程较长。 周郁1995发表在APL上的相关论文已被引用1669次。 二.纳米压印技术实现方式 超声纳米压印技术 热压印的改进，利用超声波加热介质聚合物。 中国台湾清华大学首次提出。 二.纳米压印技术实现方式 紫外纳米压印技术 第一种不用加热的压印技术； 紫外光敏感光刻胶旋图到wafer上； 掩模板压入光刻胶成型； 紫外光透过掩模板照射光刻胶，使光刻胶固化； 分离后进行后续工艺。 紫外纳米压印技术是当前国际主流纳米压印机采用技术。 二.纳米压印技术实现方式 紫外纳米压印技术几个变种： 逆压印技术； 将光紫外刻胶旋图到掩模板上，轻微接触wafer，然后分离。 软掩模板压印技术； 掩模板材料聚合物材料（PDMS），更好克服wafer之不平整。 转轴连续纳米压印技术。 掩模板图形制作在可以滚动的滚轴上，基板采用弹性介质，随