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氮化镓基激光器限制层的制备方法及所得限制层和激光器.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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氮化镓基激光器限制层的制备方法及所得限制层和激光器.pdf

    本发明公开了一种氮化镓基激光器限制层的制备方法、由该方法制得的氮化镓基激光器限制层以及具有该限制层的氮化镓基激光器。该氮化镓基激光器限制层的制备方法包括，外延生长掺杂Mg的短周期AlGaN/GaN超晶格结构，其中，仅在生长所述AlGaN/GaN超晶格结构中的GaN层时，进行Mg的掺杂，且所述GaN层中Mg的掺杂浓度小于等于1E19cm‑3。由该方法得到的限制层，能够维持限制层内AlGaN/GaN结构的极化效应，提升p型限制层的空穴浓度，降低了电阻率；在其应用于垂直型氮化镓基激光器时，可以提升氮化

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114583557 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202210210936.1 H01S 5/323 (2006.01) (22)申请日 2022.03

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