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本发明涉及显示材料技术领域,且公开了一种过滤阴极电弧法制备的高性能透明导电薄膜,过滤阴极电弧法具有高沉积速率和高离子能量的优点,可以制备高结晶质量、高致密度、优异光电性能和化学稳定性的透明导电薄膜,本发明公开了用FCAD制备高性能ZnO和SnO2基透明导电薄膜和薄膜晶体管的技术。首先,公开了一种高性能ZnOTFT的制备方法,其有源层和电极层分别采用以FCAD在低温制备的ZnO和AlZnO薄膜;其次,公开了几种SnO2基TFTs的制备工艺,其有源层可分别采用FCAD在低温制备的高阻SnO2、Sb或
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114566543 A
(43)申请公布日 2022.05.31
(21)申请号 202210190914.3 H01L 21/34 (2006.01)
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