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一种应用于BIS的减薄方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种应用于BIS的减薄方法.pdf

    本发明涉及BIS晶圆加工领域，具体的是一种应用于BIS的减薄方法，S1、BIS晶片研磨；S2、使用精密吹气管在BIS晶片周围产生气障；S3、使用多组精密氢氟酸喷洒装置对BIS晶片进行喷洒。本发明在工作过程中使用精密吹气管在BIS晶片周围产生的气障用于保护需要保留的部分，然后在BIS晶片需要去除的位置使用多组精密氢氟酸喷洒装置对BIS晶片进行喷洒，通过控制喷氢氟酸的喷洒量、时间和范围，来控制减薄效果，不仅降低了整个工艺流程的耗时，提高了生产效率，而且还避免了传统BIS减薄工艺中的二次修整时对BIS

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114582719 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210168386.1 (22)申请日 2022.02.23 (71)申请人 苏州轩创科技有限公司 地址 江苏省

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