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一种套刻标记.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种套刻标记.pdf

    本发明提供一种套刻标记，该套刻标记形成在半导体衬底中，包括第一测量标记、第二测量标记以及辅助图形；第一测量标记形成在第一层中；第二测量标记形成在第二层中，第二层形成在第一层之后的同一位置；辅助图形均匀分布在第一测量标记的外侧周围，与所述第一测量标记位于同一层。本发明通过在现有套刻标记图形的周围添加密集对称分布的直线型图形辅助图形，解决了光刻工艺过程中由于套刻标记不对称导致的测量精度不准确的问题，提高了测量精度和器件良率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114578662 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210185959.1 (22)申请日 2022.02.28 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址

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