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一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置.pdf

    本发明提供了一种掺杂氮化铝晶体的生长方法及生长装置，该生长方法采用气相生长以及气相掺杂的方式，不仅可以通过调节组分来提高掺杂浓度，并且气相掺杂还可以保证掺杂的均匀性，且可以使掺杂原子在氮化铝晶体中的浓度接近其固溶上线，总体过饱和蒸汽压和各组分分压实现量化控制；进一步的，在本申请中生成氮化铝晶体时进行双元素掺杂，同时为了掺杂效率以气态形式将掺杂剂通入到生长腔体内，并通过控制Al、N比来辅助提升掺杂效率，增加C的掺杂提高Be、Mg的掺杂效率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114574956 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210222470.7 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人 北京世纪金光半导体有限公司 地址

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