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一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物.pdf

    本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基四甲基乙二胺Ni(II)加合物，有良好的耐空气水分稳定性，较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，以及良好的成膜性能，可用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出良好的Ni基薄膜。同时本发明合成方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114573642 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210187207.9 C23C 16/455 (2006.01) (22)申请日 2022.02

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