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一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法.pdf

    本发明提供了一种高栅压摆幅的增强型GaN功率器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明在P‑GaN层生长结束后，继续生长一层AlGaN‑2层，在AlGaN‑2层生长过程中进行Mg掺杂，形成P型半导体，并使Al组分为渐变的，以减小AlGaN‑2层与P‑GaN层之间的应力，减弱压电极化效应。P型半导体与金属接触时，金属的功函数相对于半导体的功函数越小，形成的肖特基接触势垒就越高。本发明利用AlGaN‑2层功函数比P‑GaN大的特点，其与栅极上方的金属形成的肖特基接触，势垒更高，从而导致栅极耐压会更

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116092928 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310368461.3 (22)申请日 2023.04.10 (71)申请人 江苏能华微电子科

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