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2023-05-11 发布于四川
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半导体器件.pdf

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本发明提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体叠层、金属电极、阻挡层、第一钝化层以及第二钝化层，半导体叠层设置在衬底上，金属电极设置在半导体叠层上；阻挡层设置在金属电极边缘区域；第一钝化层设置在半导体叠层上，并延伸至金属电极边缘区域，第二钝化层设置在第一钝化层上，并覆盖阻挡层。相较于现有技术，本发明通过设置第二钝化层，能够提升水汽隔离效果，并且通过设置阻挡层，能够延长水汽侵入路径，使得水汽更加不易接触第一钝化层和半导体叠层，提升了器件的可靠性，并且，能够移除器件表面

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116093138 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310288622.8 (22)申请日 2023.03.16 (71)申请人深圳市时代速信科技有限公司地址