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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明是关于一种精确控制ITO薄膜方块电阻的方法,其包括:控制载流子浓度和迁移率来调控电阻率,在ITO薄膜厚度偏差不变或变大的情况下,实现对ITO薄膜方块电阻的调控。本发明通过控制载流子浓度和迁移率,可以实现对电阻率的调控,在ITO薄膜厚度偏差不变的情况下,则可以实现对方块电阻的调控。通过采用本发明的方法,可以制备得到性能优异的加热电阻,并且方块电阻偏差可控制在较小范围内。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114574831 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210180918.3 H05B 3/02 (2006.01)
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