半导体器件及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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半导体器件及半导体器件的制造方法.pdf

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本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。能够提高半导体器件的特性。半导体器件构成为具有SOI衬底、在活性区域上隔着栅极绝缘膜(GI1)形成的栅电极(GE1)、和在元件分离区域形成的虚拟栅电极(DGE1)，该SOI衬底具有活性区域和元件分离区域即元件分离绝缘膜(STI)。在虚拟栅电极(DGE1)的两侧形成虚拟侧壁膜(DSW)，该侧壁膜以与活性区域与元件分离区域即元件分离绝缘膜(STI)的边界一致或重叠的方式配置。根据所述构成，即便在接触孔(C1)偏移形成的情况下，也能够防止插塞(P1)形成得较

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107424998 A (43)申请公布日 2017.12.01 (21)申请号 20171