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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明涉及一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，属于MOSFET器件技术领域。本发明公开了一种槽型分裂栅集成沟道二极管的MOSFET器件，通过在栅极下表面引入分裂栅和沟道MOS二极管：分裂栅屏蔽了栅极与漏极的耦合面积，大幅降低了器件的反馈电容和栅极电荷，提高器件的开关速度；与此同时，在反向恢复时，沟道二极管抑制了寄生PN结二极管的开启，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入效率，从而降低了反向恢复电荷、反向峰值电流和反向恢复时间，最终改善了器件的反向恢复性能。因此，本发明的槽型分裂栅集成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114582976 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210198141.3
(22)申请日 2022.03.02
(71)申请人 重庆邮电大学
地址 400065
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