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- 2023-05-11 发布于四川
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本申请公开了一种基于原子缺陷单光子发射的量子物理不可克隆函数,包括宽禁带半导体薄膜,宽禁带半导体薄膜中随机分布有不同种类的原子缺陷,且宽禁带半导体薄膜为晶体结构;其中,原子缺陷受到激发光的照射时产生单光子,不同种类的原子缺陷发光不同,同一种原子缺陷在不同晶体环境中与周围原子的作用力不同,使产生的单光子的发射波长、荧光寿命和偏振态不同,发射波长、荧光寿命、偏振态和原子缺陷的深度作为量子物理不可克隆函数的编码维度。本申请中的量子物理不可克隆函数可以产生量子物理不可克隆函数,量子物理不可克隆函数的复制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114580032 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202210204286.X (56)对比文件
(22)申请日 2022.03.02
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