太赫兹超材料芯片及其前处理和测试方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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太赫兹超材料芯片及其前处理和测试方法.pdf

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本发明涉及半导体集成电路领域，提供太赫兹超材料芯片及其前处理和测试方法。太赫兹超材料包括基底和周期结构超材料；所述周期结构超材料设置于基底的上表面，包括一个第一间隙结构和两个对称的第二间隙结构；第一间隙结构位于两个第二间隙结构之间；所述周期结构超材料整体呈立体的M字形状。太赫兹超材料芯片的前处理方法为对所述太赫兹超材料芯片进行辉光放电。太赫兹超材料芯片的测试方法包括：将待测品溶液滴到太赫兹超材料芯片上至溶液完全展开；低温干燥后放入太赫兹光谱仪进行透射测试。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116087140 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310167176.5 (22)申请日 2023.02.23 (71)申请人江门市华讯方舟科技有限公司地址