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一种解决金属填充Metal Fill而导致芯片时序恶化的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-11 发布于四川
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一种解决金属填充Metal Fill而导致芯片时序恶化的方法.pdf

    本发明实施例涉及一种解决金属填充MetalFill而导致芯片时序恶化的方法。所述方法包括：在布局布线步骤中执行金属填充；确定金属填充后的芯片中各个时序路径(timingpath)上各时序端点(timingendpoints)是否存在时间违例(timeviolation)；当存在时间违例时，确定所述时序路径为时序风险路径(timingcriticalpath)；针对时序风险路径，以设定宽度生成虚拟阻挡层，并沿所述时序风险路径设置所述虚拟阻挡层，用以替代在所述虚拟阻挡层所占位置上的所述金

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114580341 A (43)申请公布日 2022.06.03 (21)申请号 202210209763.1 G06F 115/02 (2020.01) (22)申请日 2022.03

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