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本公开提供了一种存储器以及测试方法,该存储器中,命令生成电路,用于根据第一时钟信号和第一使能信号生成读写时钟信号;以及接收地址产生电路发送的列地址结束信号,并根据列地址结束信号生成预充电信号;地址产生电路,用于根据读写时钟信号进行列地址计数且在每完成一行存储单元的写操作或读操作时,生成列地址结束信号;以及根据预充电信号进行行地址计数且在行地址计数值满足预设值时,确定读写控制信号的电平状态;其中,每当行地址计数值满足预设值时,读写控制信号的电平状态发生翻转,以达到节省相关电路的目的。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116092564 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202310238732.3
(22)申请日 2023.03.14
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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