晶体生长基本理论晶体生长界面稳定性.pptxVIP

人工宝石及宝石优化处理 教育部职业教育宝玉石鉴定与加工专业教学资源库Gems and Jade Identification and Processing Teaching Resource Library晶体生长基本理论-晶体生长界面稳定性郭杰 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性 晶核出现后，过冷或过饱和，驱使质点按一定的晶体结构在晶核上排列生长。温度梯度和浓度梯度直接影响界面的稳定性，从而影响晶面的生长速度、晶体的形态。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性晶体生长过程中，介质的温度、浓度会影响晶体与介质的界面的宏观形状，如是凸起、凹陷或平坦光滑。界面为平坦光滑状态，则界面稳定性；如果生长条件的干扰，界面会产生凹凸不平，即形成不稳定界面。影响界面稳定性的因素主要有熔体温度梯度、溶质浓度梯度、生长速率等。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性A、 熔体温度梯度：生长界面处的温度分布，有三种情况：温度梯度为正，这是熔体为过热熔体；温度梯度为负，即dT/dx0，熔体为过冷熔体；温度梯度为零，即dT/dx=0。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性A、 熔体温度梯度：温度梯度大于0，熔体过热，远离界面温度高，突起处（温度高）生长慢，凹入处（温度低）生长快；最终使晶体界面达到光滑；从而导致界面稳定和平衡的状态。温度梯度小于或等于0，熔体过冷，远离界面温度低，突起处（温度低）生长更快；不利于晶体界面光滑；所以导致界面不稳定。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性A、 熔体温度梯度：在熔体中结晶的合成方法，如提拉法，要使熔体温度略高于熔点，而应该避免过冷或等于熔点的状况；合成过程中温度有波动，或局部不均匀，则出现突起与凹入的界面，在晶体生长中应该尽量避免。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性B、 溶质浓度梯度：当晶体生长体系为多组分体系，或生长体系中含有杂质元素时，晶体生长会发生分凝效应，即某元素在晶体与溶液中的浓度不等。随着晶面生长前移，界面前沿该元素的浓度将提高，形成了界面前沿液体中的浓度梯度。该元素浓度的提高会改变凝固点温度，一般都会使凝固点下降。这时，界面前沿液体中有两个温度分布，在界面前沿有一个区域，实际温度小于液相温度，造成界面前沿出现过冷现象， 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性B、 溶质浓度梯度：当晶体生长体系为多组分体系，或生长体系中含有杂质元素时，晶体生长会发生分凝效应，即某元素在晶体与溶液中的浓度不等。随着晶面生长前移，界面前沿该元素的浓度将提高，形成了界面前沿液体中的浓度梯度。该元素浓度的提高会改变凝固点温度，一般都会使凝固点下降。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性B、 溶质浓度梯度：这时，界面前沿液体中有两个温度分布，在界面前沿有一个区域，实际温度小于液相温度，造成界面前沿出现过冷现象，这种由成分分布变化而引起的过冷现象叫组分过冷。组分过冷现象也会使界面变成不稳定的粗糙界面。但如果正温度梯度非常大，则不会产生组分过冷现象。在溶液中生长时，溶质在界面附近汇集，在高浓度处有用质点作为溶质不断结晶。 晶体生长基本理论概述-晶体生长界面稳定性C、 生长速率梯度：晶体生长时，生长界面向液体或熔体推进，生长越慢界面越稳定。生长速率梯度与晶体生长动力学参数有关，也与温度梯度、浓度梯度有关。 总之，为了获得稳定的生长界面，应该适当加大温度梯度，采用较慢的生长速率，并在各个方向保持较小的溶质浓度梯度。 谢谢观看！