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教育部职业教育宝玉石鉴定与加工专业教学资源库Gems and Jade Identification and Processing Teaching Resource Library晶体生长基本理论-人工晶体生长方法郭杰
晶体生长基本理论概述 -人工晶体生长方法1．从熔体中生长单晶体粉末原料→加热→熔化→ 冷却 → 超过临界过冷度 →结晶，
晶体生长基本理论概述 -人工晶体生长方法1．从熔体中生长单晶体从熔体中生长晶体的方法是最早的研究方法，也是广泛应用的合成方法。从熔体中生长单晶体的最大优点是生长速率大多快于在溶液中的生长速率。二者速率的差异在10-1000倍。从熔体中生长晶体的方法主要有焰熔法、提拉法、冷坩埚法和区域熔炼法。
晶体生长基本理论概述 -人工晶体生长方法 2．从液体中生长单晶体：原料 → 加热→ 溶解（迁移、反应）→ 过饱和→ 析出结晶
晶体生长基本理论概述 -人工晶体生长方法 2．从液体中生长单晶体：由两种或两种以上的物质组成的均匀混合物称为溶液，溶液由溶剂和溶质组成。合成晶体所采用的溶液包括：低温溶液（如水溶液、有机溶液、凝胶溶液等）、高温溶液（即熔盐）与热液等。 从溶液中生长晶体的方法主要有助熔剂法和水热法。
晶体生长基本理论概述 -人工晶体生长方法 3．从气相中生长单晶体的方法：气相生长可分为单组分体系和多组分体系生长两种。单组分气相生长要求气相具备足够高的蒸气压，利用在高温区汽化升华、在低温区凝结生长的原理进行生长。但这种方法应用不广，所生长的晶体大多为针状、片状的单晶体。
晶体生长基本理论概述 -人工晶体生长方法 3．从气相中生长单晶体的方法：多组分气相生长一般多用于外延薄膜生长，外延生长是一种晶体浮生在另一种晶体上。主要用于电子仪器、磁性记忆装置和集成光学等方面的工作元件的生产上。合成金刚石薄膜的化学气相沉淀 (CVD)法以及合成碳化硅单晶生产技术，就属于此类。
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