光电检测技术基础.pptxVIP

第二章 光电检测技术基础;导体、半导体和绝缘体;半导体的特性;本征和杂质半导体;平衡和非平衡载流子;非平衡载流子的产生;载流子的输运过程;半导体对光的吸收;杂质吸收和自由载流子吸收;激子和晶格吸收;光电导效应、光生伏特效应和光热效应;光电效应解释;光对电子的直接作用是物质产生光电效应的起因;光电导效应;本征光电导效应;基本公式：;杂质光电导效应：杂质半导体; 光电导效应指固体受光照而改变其电导率。此效应是最早发现的光电现象。半导体和绝缘体都有这种效应。 电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。 入射光的光子能量等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE (禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离)，也就是光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λC ， 若λC 以μm 计，ΔE 以eV 计，则λC与ΔE的关系为 λC = 1.24 / ΔE  就光电???件而言，最重要的参数是灵敏度，弛豫时间和光谱分布。下面讨论一下光电导体的这三个参数。; 一、光电导体的灵敏度 灵敏度通常指的是在一定条件下，单位照度所引起的光电流。由于各种器件使用的范围及条件不一致，因此灵敏度有各种不同的表示法。光电导体的灵敏度表示在一定光强下光电导的强弱。它可以用光电增益G来表示。根据恒照即定态条件下电子与空穴的产生率与复合率相等可推导出：