多晶硅培训笔记.docxVIP

一、基础知识介绍 硅 硅是半金属性质，化学元素符号Si,原子序号14,原子量28,外层电子层结构为K(2)L(8)M(4),M层4个电子在一定条件下，活跃导电。 半导体知识： 半导体特性：在一定条件下能导电，导电率介于绝缘体和导体之间，电阻率为10-3?108Qcm之间。温度高，电阻率下降，反之；加入1族或3族元素，导向性能变化较大；太阳光照射，电阻率下降。 硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.21电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350cm2/伏?秒，空穴迁移率为480cm2/伏?秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3x105Qcm，掺杂后电阻率可控制在104?10-4Qcm的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。晶体硅的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点 光伏产业链晶体硅太阳能电池产业链为：石英砂冶金级硅多晶硅单晶硅拉棒硅片——电池片——电池组件。 石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C-Si+CO2t 晶体硅的主要技术参数 晶体硅主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型 导电类型