一种控制硼富集的单晶硅拉制方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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一种控制硼富集的单晶硅拉制方法.pdf

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本发明公开了一种控制硼富集的单晶硅拉制方法，包括：确定循环料的硼含量；选择籽晶装入炉膛中；根据循环料的硼含量，将原生多晶硅料和循环料按一定比例装入坩埚中；将坩埚抽真空，并通入惰性气体；对坩埚进行持续加热直至材料全熔后，获得拉制料，降温至引晶温度；使籽晶接触拉制料表面后，开启晶转；按照一定的直径，控制好拉速缩颈；控制好拉速和扩肩速度，等放肩部直径接近要求的晶体直径时，提升拉速，晶体进入等径生长阶段；提高拉晶速度，逐步缩小晶体直径，直至使晶体脱离熔体，第一次拉晶过程结束；重复装籽晶步骤，在装料步骤中

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116043321 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202211705558.0 C30B 29/06 (2006.01) (22)申请日 2022.12.