倒装发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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倒装发光二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开一种倒装发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述半导体叠层包含第一区域以及与所述第一区域不重叠的第二区域；多个孔洞，包括多个第一孔洞和多个第二孔洞，所述第一孔洞和所述第二孔洞穿过所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层以裸露所述第一半导体层的一部分表面，所述第一孔洞位于所述第一区域，所述第二孔洞位于所述第二区域；第一焊盘电极，形成在所述半导体叠层第一区域上，电连接至所述第一半导体层；第二焊盘电极，形成在所述半导体叠层第二区域上，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116053381 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202310076627.4 (22)申请日 2021.08.24 (62)分案原申请数据