一种Co掺杂的MgAlO3晶体及其生长方法.pdfVIP

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  • 2023-05-12 发布于四川
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本发明涉及一种Co掺杂的MgAlO3晶体及其生长方法,属于晶体生长技术领域,包括如下步骤:第一步、烧结:将CoO2、MgO和Al2O3按照一定比例混合均匀;对原料加热至1600℃,烧结成多晶体;第二步、球磨:对加热处理后的多晶体原料进行球磨处理;球磨至粒径小于100μm,对球磨处理之后的原料进行过筛后放入坩埚;第三步、抽真空,对坩埚进行加热;在氩气保护条件下,提拉生长得到Co掺杂的MgAlO3晶体;通过控制颗粒的温度梯度,为晶体生长提供驱动力的同时避免晶体的开裂,并结合合理的转速,保证晶体的生产

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116084013 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202211532390.8 (22)申请日 2022.12.01 (71)申请人 合肥

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