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本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化异质型MEMS硫化氢传感器气敏薄膜制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对MEMS晶圆进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过在ALD反应器中控制CoOx在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同数量CoOx‑ZnO异质结构薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD可在原子水平上精准控制纳米颗粒大小或膜厚度以及精确调控和原位一体化结构等优势，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS气敏薄膜制备，有效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116083878 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211392327.9
(22)申请日 2022.11.08
(71)申请人 上海大学
地址 200444
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