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一种半导体器件，包括：栅极结构，在衬底上；绝缘中间层，在衬底上且覆盖栅极结构的侧壁；封盖层，在栅极结构和绝缘中间层上；布线，在封盖层上；绝缘图案，在开口的底部和侧壁上，该开口延伸穿过布线、封盖层的至少上部分；以及蚀刻停止层，在绝缘图案和布线上。绝缘图案包括在开口的底部上的下部分和与开口的侧壁接触的侧部分。绝缘图案的下部分在竖直方向上距开口的底部的厚度大于绝缘图案的侧部分在水平方向上距开口的侧壁的厚度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116096079 A
(43)申请公布日 2023.05.09
(21)申请号 202211320162.4
(22)申请日 2022.10.26
(30)优先权数据
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