半导体器件及其制造方法以及数据存储系统.pdfVIP

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2023-05-12 发布于四川
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半导体器件及其制造方法以及数据存储系统.pdf

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本公开提供了半导体器件及其制造方法以及数据存储系统。一种半导体器件包括：基板；堆叠结构，包括第一栅极层、第一层间绝缘层和第二栅极层；以及穿透堆叠结构并与基板接触的沟道结构，沟道结构包括沟道层、围绕沟道层的垂直隧穿层、在垂直隧穿层的外表面上的电荷存储图案以及在电荷存储图案的外表面上的阻挡图案，电荷存储图案包括垂直地间隔开并分别与第一栅极层和第二栅极层相邻的第一电荷存储材料层和第二电荷存储材料层，阻挡图案包括在电荷存储材料层和栅极层之间的垂直间隔开的阻挡材料层，并且阻挡图案接触电荷存储图案的外表面并

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116096095 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202211324701.1 (22)申请日 2022.10.27 (30)优先权数据 10-2021-0146505