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本发明提供一种具有载流子浓度增强的分离栅超结IGBT器件结构及制作方法，本发明通过将栅电极分裂为左右两部分，左侧作为栅极，右侧与发射极连接，分离栅结构降低了米勒电容Cgc，进而降低了开关损耗。本发明在沟槽栅右侧、P柱上方引入P型浮空区结构，阻止了P柱与P型基区及发射极的直接连接，消除了在高柱区浓度下P柱及P型基区对空穴的抽取作用，在不同N、P柱区掺杂浓度下器件均工作在双极导电模式下，消除了柱区掺杂浓度对正向导通压降的影响。右侧分离栅的引入还避免了器件开启时P型浮空区中的空穴电流对栅极的充电，避免
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113838922 A
(43)申请公布日 2021.12.24
(21)申请号 202111117630.3 H01L 21/28 (2006.01)
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