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- 2023-05-13 发布于四川
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本发明公开了一种磁存储器及数据读写方法,涉及磁存储领域,所述磁存储器包括:底电极以及设置于所述底电极之上的磁隧道结;所述磁存储器设置有至少三个端口,包括:第一端口,第二端口以及第三端口,通过对磁存储器件的存储单元三个调节端口,并通过其中两个端口输入电信号,从而使所述参考层的磁化方向发生改变,并且改变方向与所述通入电信号的方向对应,这样在所述参考层同样可以进行数据位的建立,通过所述参考层的磁化方向进行数据“0”或“1”的存储。使所述参考层同样具有记录数据的能力,因此,每个所述磁存储器同现阶段磁存储
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649472 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210259677.1
(22)申请日 2022.03.16
(71)申请人 北京航空航天大学
地址 10019
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