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- 2023-05-13 发布于四川
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本发明提供显示装置的制造方法，在具有由氧化物半导体构成的TFT的显示装置中，减小源极/漏极电阻并实现具有稳定的Vd‑Id特性的TFT。形成有多个具有由氧化物半导体(105)构成的薄膜晶体管(TFT)的像素的显示装置，氧化物半导体中形成有沟道，在沟道的两侧形成的漏极及源极，在沟道与漏极之间或沟道与源极之间形成有中间区域，在氧化物半导体的沟道与中间区域之上形成有栅极绝缘膜(106)，在栅极绝缘膜之上形成有氧化铝膜(107)，在沟道的上方且在氧化铝膜之上形成有栅电极(109)，在栅电极的两侧形成有侧壁
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649259 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210280593.6 H01L 27/32 (2006.01)
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