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一种Co9S8单晶过渡金属硫化物薄膜的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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一种Co9S8单晶过渡金属硫化物薄膜的制备方法.pdf

    本发明属于脉冲激光沉积技术以及过渡金属硫化物薄膜制备领域，具体提供一种Co9S8单晶过渡金属硫化物薄膜的制备方法，用以获得高质量外延硫化物薄膜。本发明利用脉冲激光沉积法，通过CoS靶材制备与沉积参数精准设计，首次制备得到Co9S8单晶外延薄膜，相较于Co9S8粉体或块体，Co9S8单晶外延薄膜能够有着更好的物理性质，相较于现有过渡金属硫化物薄膜，Co9S8单晶外延薄膜具有结晶质量高、厚度较薄、电输运性能好的优点；综上，本发明基于脉冲激光沉积法首次制备得到Co9S8单晶外延薄膜，具有质量高、厚度薄

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114645321 B (45)授权公告日 2023.04.11 (21)申请号 202210300347.2 JP A,1994.

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