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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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半导体结构的制备方法及半导体结构.pdf

    本公开提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述半导体结构的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和隔离结构，所述隔离结构位于所述第一区域和第二区域之间；所述隔离结构的部分表面形成第一凸起；在所述第一区域上形成第一栅介质层，去除所述第一凸起，在所述第二区域上形成第二栅介质层；在所述第一栅介质层形成第一栅极；在所述第二栅介质层形成第二栅极。所述半导体结构包括：衬底，包括第一区域、第二区域和隔离结构；第一栅介质层和第二栅介质层，分别位于所述第一区域和第二区域上方；第一栅极和第二

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649267 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210247280.0 (22)申请日 2022.03.14 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 230

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