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本发明提供一种新型半导体器件的制备方法，包括：在第一衬底上依次形成第一膜层、第二膜层和键合膜层，以形成第一中间结构；其中，第二膜层的晶胞尺寸小于所述第一膜层的晶胞尺寸，所述键合膜层是由具有张应变特性的材料制备的膜层，以使所述第二膜层形成张应变；在第二衬底上依次形成电介质膜层和键合膜层，以形成第二中间结构；将所述第一中间结构和所述第二中间结构的键合膜层进行键合，以形成键合结构；将所述键合结构的第一衬底和第一膜层去除，以形成具有张应变的半导体器件衬底。本发明提供的新型半导体器件的制备方法，能够在栅极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114628313 A
(43)申请公布日 2022.06.14
(21)申请号 202210244099.4
(22)申请日 2022.03.11
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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