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改善晶圆中心位置良率的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-13 发布于四川
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改善晶圆中心位置良率的方法.pdf

    本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率的方法，应用于半导体领域。本发明提供了一种改善晶圆中心位置良率的方法，具体的，在对正面形成有半导体器件的晶圆进行湿法清洗工艺之前，先对该晶圆的正面和/或背面进行至少一种特定溶液的至少一次冲洗，以增加晶圆表面的导电性，从而可以实现利用该特定溶液将晶圆正面上存在的静电电荷去除(导出)，进而避免了在后续的晶圆湿法清洗工艺制程中，由于湿法清洗在晶圆表面喷射的清洗溶液与晶圆的表面接触并产生电弧放电的现象的问题，即，从而避免了电弧放电位置处造成晶圆放电位置炸开，进而造成晶

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649201 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210287638.2 (22)申请日 2022.03.22 (71)申请人 上海华力微电子有限

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