半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法.pdf

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本申请涉及一种半导体结构、自支撑掺杂氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；将衬底置于氢化物气相外延设备中；向氢化物气相外延设备中通入包括含氮气体及含硅混合气体，含氮气体与含硅混合气体反应，以于衬底上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个孔隙；调整含硅混合气体的流量后，持续向氢化物气相外延设备中通入含硅混合气体及含氮气体；并向氢化物气相外延设备中通入氯化氢气体，以于孔隙内及图形化掩膜层远离衬底的表面形成掺杂氮化镓层。上述实施例提供的制备方法不易引入新的污染，还能够简化氢化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114649196 A (43)申请公布日 2022.06.21 (21)申请号 202210238474.4 C23C 16/30 (2006.01) (22)申请日 2022.03.