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- 2023-05-13 发布于四川
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本公开提供了一种数字识别忆阻器及其制备方法,所述数字识别忆阻器包括:底电极、介质层和顶电极;其中,所述介质层位于所述底电极和顶电极之间,所述介质层为氧化锌纳米颗粒与氧化铜纳米线构成的异质结,所述氧化锌纳米颗粒附着在所述氧化铜纳米线上,所述异质结作为氧空位聚集层,连接顶电极和底电极形成导电通路,使电导形成渐变过程,表现出突触特性。与现有多用于存储型的忆阻器相比,本公开所述方案具有的制备简单,微观形貌特殊,具有模拟人脑突触的功能,实现于手写体数字识别,制备的忆阻器在神经形态计算中发挥了巨大的潜力,为
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114649475 A
(43)申请公布日 2022.06.21
(21)申请号 202210270381.X
(22)申请日 2022.03.18
(71)申请人 济南大学
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