包括掺杂栅极电极的电子器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-13 发布于四川
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包括掺杂栅极电极的电子器件及其形成方法.pdf

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本揭露涉及包括掺杂栅极电极的电子器件及其形成方法。本发明公开了一种电子器件，该电子器件包括HEMT及其形成方法。形成HEMT的方法具有栅极电极层，该栅极电极层最初具有多个间隔开的掺杂区。在图案化之后，栅极电极可包括在p型掺杂区上方的n型掺杂区。在另一实施方案中，阻挡层可以位于栅极电极下方，并且包括具有较高Al含量和比上膜薄的下膜。在另外的实施方案中，氮化硅层可形成于栅极电极层上方。当处于接通状态时，HEMT可具有良好的接通特性、低栅极泄漏，并且与常规HEMT相比具有更好的时间依赖性击穿。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639730 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202111537916.7 (22)申请日 2021.12.15 (30)优先权数据