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本公开涉及一种基于曲面基底的三维微纳器件的制造方法。该方法包括：根据对应的预应力加载策略对曲面基底进行预应力加载，得到展后曲面基底；将根据具有目标空间结构的三维微纳器件制造出的二维前驱体转印至展后曲面基底；将二维前驱体的待固定部分固定到展后曲面基底上；释放展后曲面基底所加载的预应力，以使得二维前驱体变形为三维微纳器件，得到曲面基底和固定组装于曲面基底上的三维微纳器件。该方法可以在几何形貌复杂的曲面上高效、快速、精确的设计并组装丰富的三维微纳器件。适用的组装范围更加广泛，拓扑结构组装丰富性更强。可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114684781 A
(43)申请公布日 2022.07.01
(21)申请号 202210348513.6
(22)申请日 2022.04.01
(71)申请人 清华大学
地址 100084 北京
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