一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器外延结构生长方法.pdf

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本发明公开了一种高速铝铟镓砷分布反馈式激光器，其包括InP衬底，在InP衬底上依次沉积有缓冲层、光栅层、限制层、下波导层、量子阱、上波导层、限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述欧姆接触层中Zn的掺杂浓度大于等于1E20cm‑3。激光器的激光器InGaAs欧姆接触层中Zn的掺杂浓度为1E20cm‑3以上，可大幅提升高速非制冷半导体激光器的可靠性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113300214 A (43)申请公布日 2021.08.24 (21)申请号 202110711268.6 (22)申请日 2021.06.25 (71)申请人苏州全磊光电有限公司