具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法.pdf

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本申请是关于一种具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、高电容率耐压区、沟槽区、源极、漏极以及金属栅极；漂移区设置在衬底区与基体区之间，漏极设置在衬底区下方；漂移区包括：N型耐压区和高电容耐压区；高电容耐压区采用高电容率材料；N型耐压区和高电容耐压区并排分部在衬底区上方；沟槽区包括：由上至下依次设置的控制栅和屏蔽栅，以及将控制栅和屏蔽栅相互隔离的绝缘层；沟槽区设置在高电容率耐压区的上方，使得高电容率耐压区的顶面与屏蔽栅的底面相接。本申请提供的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114695543 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210143115.0 (22)申请日 2022.02.16 (71)申请人无锡先瞳半导体科技