半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-14 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区和第二区；在所述第一区内形成第一隔离结构；在所述第二区内形成第二隔离结构，所述第一隔离结构的顶部表面高于所述第二隔离结构的顶部表面；在所述第二区上形成若干浮栅结构，所述第二隔离结构位于相邻的所述浮栅结构之间；在形成所述浮栅结构之后，对所述第一区的顶部表面、以及所述第一隔离结构的顶部表面进行清洗处理。通过在形成所述浮栅结构之后，对所述第一区的顶部表面、以及所述第一隔离结构的顶部表面进行清洗处理。利用所述清洗处理去除在前序工艺过程中所形成的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678255 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011553763.0 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人中芯国际集成电路制