半导体激光装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-14 发布于四川
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本发明提供一种抑制因芯片内的高度的差异而产生的实用上的问题的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有基板(1);层叠于所述基板的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3);以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域。从所述多个发光区域的每一个放射的激光的光谱中的峰值波长(λ)的值根据所述发光层(EL)距所述第一面的厚度EH而不同。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678771 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202111430169.7 (22)申请日 2021.11.29 (30)优先权数据 2020-215676 202

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