一种量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-14 发布于四川
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一种量子点发光二极管及其制备方法.pdf

本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,量子点发光二极管包括量子点层、与量子点层相邻的电子传输层、及位于量子点层与电子传输层之间的赖氨酸层,电子传输层包括金属氧化物。本发明通过将赖氨酸层作为界面修饰层对电子传输层与量子点层的界面进行修饰,使得其能级更加匹配,增加载流子的迁移率,提高界面间电荷的有效传输,进而提高器件的发光效率和稳定性;并且赖氨酸的加入也能对界面处的形貌起到一定的改善作用,能够使界面平坦化,进一步提高器件的发光效率和稳定性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114678473 A (43)申请公布日 2022.06.28 (21)申请号 202011555936.2 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司 地址

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